為了實現高效率低成本，電解制氫和儲能系統對功率密度和開關頻率的要求越來越高，英飛凌新一代IGBT技術（IGBT 7）憑借微溝槽（Micro Pattern Trench）設計，成為應對這一挑戰的核心利器。
IGBT7從2019年問世至今，從首發的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且優化了寄生電容參數，從而實現極低的導通壓降和優化的開關性能。
市場應用向高頻化與高功率密度發展的趨勢對功率半導體的散熱提出了前所未有的挑戰，因此我們準備了約3萬字的功率半導體器件熱設計系列文章，涵蓋熱阻、結溫、熱容等多方面知識，從熱阻基礎到瞬態熱測量，從結溫獲取到PCB設計，為工程師的熱設計難題提供專業、權威且實用的技術參考。
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