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        ASML是英特爾超越臺積電的關(guān)鍵?

        前言:

        目前,臺積電在EUV工具數(shù)量和經(jīng)驗方面領(lǐng)先于英特爾數(shù)英里,這是先進技術(shù)節(jié)點的關(guān)鍵。

        如果臺積電和英特爾以相同的速度購買工具和技術(shù),臺積電將保持領(lǐng)先地位。

        如果英特爾想從臺積電手中奪回摩爾定律競賽的領(lǐng)先地位,那么它迫切需要ASML的幫助。

        AI芯天下丨分析丨為什么說ASML是英特爾取勝的關(guān)鍵?

        作者 | 方文

        圖片來源 |   網(wǎng) 絡(luò)

        現(xiàn)階段臺積電地位難以撼動

        全球所有的芯片,臺積電幾乎生產(chǎn)了一半。不僅在產(chǎn)能上,在技術(shù)上也領(lǐng)先同行競爭對手。

        2020年二季度量產(chǎn)5nm工藝,3nm工藝預(yù)計在2022年年底完成量產(chǎn)。就連2nm工藝早已提上日程,一切順利的話會在2026年面世。

        二季度財報顯示,臺積電7nm、5nm等先進工藝收入是其總營收的一半,高端工藝芯片占據(jù)了全球80%以上。

        目前,臺積電在EUV工具數(shù)量和經(jīng)驗方面(這是先進技術(shù)節(jié)點的關(guān)鍵)遙遙領(lǐng)先于英特爾。

        臺積電可能在沒有EUV的情況下領(lǐng)先,但EUV確實讓臺積電加速拉開和英特爾和三星的距離,并創(chuàng)造了今天存在的巨大摩爾定律領(lǐng)先優(yōu)勢。

        如果臺積電和英特爾以相同的速度購買工具和技術(shù),臺積電將保持領(lǐng)先地位。

        英特爾已確定追趕臺積電的計劃

        如今,英特爾方面已經(jīng)明確表示要在3年內(nèi)完成10nm到20A工藝芯片的開發(fā)制造任務(wù),還計劃在2025年超越臺積電重新回歸芯片制造第一名。

        也就是說,英特爾要想超越臺積電,必然是要優(yōu)先獲得更先進的光刻機,只有獲得更先進的光刻機,才能夠研發(fā)制造更先進制程的芯片。

        另外,只有獲得更多先進的光刻機,才能夠保證先進制程芯片的產(chǎn)能和良品率,ASML自然是越發(fā)重要了。

        為了重新奪回半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,英特爾有很多事情要做,有很多事情需要證明,也有很多錢要花。

        晶圓代工市場規(guī)模不斷擴大,致使不少企業(yè)都提升了對芯片業(yè)務(wù)的重視程度。其中,英特爾在更換CEO后,更是確立了要與臺積電搶客戶的新目標。

        雖然從實力來看,目前,英特爾與臺積電在晶圓代工領(lǐng)域仍有巨大差距。但英特爾并非是沒有機會反超臺積電。

        對于晶圓代工廠商而言,客戶、技術(shù)以及產(chǎn)能是決定其地位的關(guān)鍵。英特爾雖然目前在上述三個方面,全面落后于對手。

        要知道的是,英特爾本身就是ASML股東。而且雖然世界上只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機,但EUV光刻機上70%多的零件都產(chǎn)自美國。

        考慮到美國正在扶持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,以及英特爾美企的身份,ASML偏愛英特爾并不令人意外。

        更何況ASML公司已經(jīng)將總部搬到了美國,這也有助于兩家企業(yè)建立更親密的聯(lián)系。

        High-NA EUV是英特爾的下一拐點

        9月2日,ASML設(shè)計的新一代極紫外光刻機基本已經(jīng)完成,目前正在美國康涅狄格州的威爾頓安裝最后的部分組件。

        能購買到設(shè)備與技術(shù),并不意味著英特爾就具備超車的條件,因為臺積電也能獲得同等的供應(yīng)條件。

        High-NA EUV即高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備,也就是下一代光刻機,最新EUV設(shè)備NA數(shù)值孔徑能從目前的0.33提升到0.5。

        High-NA EUV光刻機,之前預(yù)計是在2023年問世,現(xiàn)在推遲到了2025-2026年。

        ASML需要另一個早期采用者來推動行業(yè)發(fā)展。

        High-NA EUV的推出是英特爾的下一個拐點,正如EUV是突破臺積電的一個拐點。

        值得一提的是,新一代EUV光刻機采用更大的數(shù)值孔徑來進一步縮小芯片上的元件尺寸。

        這種方式允許光線以不同角度穿過光罩,從而增加圖案成像的分辨率。這就需要更大的鏡子和新的軟硬件來精確控制組件蝕刻。

        在英特爾的生產(chǎn)問題的幫助下,臺積電較早采用EUV幫助它在過去幾年中領(lǐng)先于英特爾和三星。

        如果ASML把英特爾看作High-NA EUV的重要參與者,并給他們承諾,并且英特爾比臺積電優(yōu)先獲得工具作為其獎勵,那么這可能是讓英特爾在臺積電之前重新回到摩爾定律游戲中的區(qū)別。

        英特爾拿到EUV光刻機的能力毋庸置疑,ASML方面已經(jīng)確定,新型EUV設(shè)備將優(yōu)先供應(yīng)于美芯片巨頭英特爾。

        預(yù)計到2023年,英特爾將會獲得第一批使用新系統(tǒng)制造的芯片。新芯片的組件數(shù)以百億計,在未來幾年內(nèi)應(yīng)該都是最快、最高效的芯片。

        其他制造技巧,包括在芯片上垂直構(gòu)建組件等英特爾和其他公司已經(jīng)開始做的事情,應(yīng)該會不斷提高芯片性能。

        結(jié)尾:

        盡管過去,臺積電曾包攬了ASML大約70%的EUV產(chǎn)能,這是臺積電能夠成為代工“老大”的關(guān)鍵。

        但此次,隨著ASML逐漸將最核心最先進的技術(shù)資源逐步傾向于英特爾,恐怕將極大的削弱臺積電在先進制程領(lǐng)域的地位,市場地位也將隨之受到影響,全球半導(dǎo)體芯片制程爭霸將迎來新一波的改朝換代。

        部分資料參考:半導(dǎo)體行業(yè)觀察:《ASML是英特爾取勝的關(guān)鍵》,DT科技咖:《英特爾要如何超越臺積電?ASML的助攻是關(guān)鍵》,數(shù)碼小妖精:《英特爾若想超越臺積電,“討好”荷蘭ASML,或許是唯一機會》,十輪網(wǎng):《芯片擴廠還不夠,英特爾超車臺積電“關(guān)鍵在ASML”》,DeepTech深科技:《ASML研制新一代光刻機,耗資1.5億美元包含10萬個部件》,華強微電子:《摩爾定律再續(xù)10年?ASML新一代EUV開造!這家巨頭搶先!》

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