美國阻止不了中國芯片制造的進步，已成功突進到3nm環節
隨著臺積電和三星就3nm工藝量產展開競賽，3nm工藝也日益成為熱點，業界都期待中國芯片行業也能跟上全球腳步，日前有報道指出中國在3nm工藝上也趕上了腳步，顯示出在美國的壓力下，中國芯片產業鏈在加速跟上全球芯片先進技術。
在芯片制造方面，中國在諸多環節方面都已取得進展，芯片制造的八大環節都已突進到14nm，其中刻蝕機更已進展到5nm，目前限制國產芯片制造的主要就是光刻機，如今正在努力推進國產28nm光刻機的量產。
雖然國產芯片仍然受制于光刻機，但是其他環節卻在積極各自突破，這次成功突破到3nm工藝的就是封測環節，據悉中國新興的封測企業利揚芯片已完成了3nm芯片的測試，這是中國芯片產業鏈的又一個重大突破。
封測其實同樣是芯片生產過程中的一個重要環節，芯片制造廠生產出晶圓之后，需要封測廠將其中的成片挑選出來，將芯片內部與外部電路連接起來，同時以外封裝保護晶片，如此芯片才能應用于手機等各種產品中，因此封測也已發展成為芯片生產過程中一個龐大的產業。
在封測環節突進到3nm，對于國產芯片來說是又一個重要的突破，意味著國產芯片仍然在不斷創新，努力在現有的條件下繼續推進，這些環節準備好，一旦光刻機方面得到解決，國產芯片就能迅速進步到7nm乃至更先進的工藝。
由于眾所周知的原因，國產芯片在獲取先進的EUV光刻機方面面臨困難，甚至近期美國方面傳出消息指連成熟的DUV光刻機也要求ASML不要賣給中國芯片，可見美國方面為了限制中國芯片的發展可謂竭盡全力。
不過從上述情況可以看到，中國芯片并未因美國的做法而氣餒，仍然按照自己的腳步前進，力求在現有條件下創造條件前進，在力所能及的范圍內取得新的技術突破，實現自力更生。
事實上這幾年在中國芯片的努力下，國產芯片自給率一直都在穩步提升，特別是成熟工藝芯片自給率已得到大幅提升，目前國產芯片已達到日產10億顆的水平，隨著國產芯片的產能不斷上漲，已讓美國芯片感受到緊張，美國已有多種芯片出現供給過剩，甚至不得不大幅降價九成求售。
如今國產芯片生產環節進一步突進到3nm，意味著美國的做法反而促進了中國芯片生產的進步，只要中國芯片持之以恒，終有一天能實現芯片各個環節的國產化，到那時候誰也無法阻止中國芯片，美國芯片正是憂慮這種前景，因此試圖不斷收緊各方面的限制，然而這注定是徒勞的。
值得注意的是美國一方面試圖限制其他經濟體向中國出售先進芯片技術，另一方面它卻又不斷給它自家的芯片提供許可，這種做法也逐漸為其他經濟體的芯片企業所詬病，畢竟市場就這么大，美國分走了更多市場也就損害了它們的利益，長久下去美國的這種聯盟終究會破滅。
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