芯片制造無疑是國產芯片最受重視的部分，不過由于種種原因，導致芯片制造跟不上芯片設計的步伐，但是這并不意味著芯片制造就陷入停滯，近期國產芯片代工商之一的長電科技就表示已實現4nm手機芯片封裝，可以提升芯片的性能。

長電科技表示已具備4nm手機芯片封裝技術，可以承接臺積電等芯片代工廠生產的手機芯片，將CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝，相比起以往的芯片封裝技術，長電科技這項封裝技術有利于提升手機芯片整體性能，降低功耗，同時減小體積，對于手機這種精密機器非常重要。

業界可能都對臺積電、三星量產4nm耳熟能詳，先進工藝有助于提升芯片的性能、降低功耗，對于手機芯片來說由于手機的體積小，因此更需要采用先進工藝來獲得更佳的性能、功耗表現，而對于芯片來說，其實除了制造之外，還有封測環節也非常重要。

封測環節是將臺積電、三星等芯片制造企業生產出來的合格晶圓進行切割、焊線、塑封，這個過程同樣需要很高的技術，確保切割過程中不會損壞晶圓，然后將芯片電路與外部器件實現電器連接，再以恰當的包裝為它提供保護，最后對封裝完畢的芯片進行功能和性能測試，確保出廠的芯片是合格產品。

隨著先進工藝越來越接近瓶頸，加上先進工藝的成本越來越昂貴，芯片設計企業和芯片制造企業都開始尋求在封裝技術方面進行變革，當下臺積電、Intel等組建的chiplet聯盟就是希望以先進封裝技術將多種類型的芯片封裝在一起，增強多種芯片的數據傳輸效率，進而提高性能，降低芯片制造成本，長電科技恰是全球前三大封測企業之一，它在先進封裝技術方面達到全球領先水平，自然也有助于增強中國芯片整體實力。

先進封裝技術如今已成為全球芯片行業所追求的一項重要技術，臺積電、Intel等建立的chiplet聯盟推進它們的封裝技術，中國大陸的華為海思也已獲得了芯片堆疊技術專利，如今長電科技在先進封裝技術方面追上全球先進水平，都可以看出封裝技術已成為各方爭奪的焦點。

業界人士就推測華為可能會在手機芯片上采用芯片堆疊技術提升芯片性能，這主要是因為當下全國產芯片工藝遠落后于臺積電，而芯片堆疊技術可以有效提升芯片性能，如此以成熟工藝生產的海思芯片加芯片堆疊技術可以滿足消費者對性能的需求。

當然對于芯片來說，最終還是需要在芯片制造工藝方面的突破，此前業界人士就指出國產芯片產業鏈除了封裝技術上取得進展之外，在芯片制造八大環節也只剩下光刻機一項受阻，其他芯片制造環節都突進到14nm，其中刻蝕機更是進展到5nm，這就意味著國產芯片已至少有兩個環節進展到5nm以上。

至于光刻機，據稱中國將會兩條腿走路，一方面是繼續努力攻克光刻機的關鍵元件，力求實現先進光刻機國產化，另一方面則是尋求研發無需光刻機的芯片制造技術，這方面有日本的NIL工藝提供參考，日本的NIL工藝已被鎧俠用于NAND flash存儲芯片生產，據稱到2025年將可以用于5nm工藝的生產，而國產芯片制造據稱也在往這個方向努力。

總的來說，無論從哪方面來看，中國在芯片各個環節都在努力推進，能取得的任何進步都是值得驚喜的，畢竟飯要一口一口吃，當其他環節都已為先進工藝準備好，那么當光刻機問題得到解決的時候，國產先進工藝就能立刻上馬，有足夠的準備才能更快收獲碩果。

       原文標題 : 擋不住了，國產芯片再度突進，部分環節已進到4nm