臺積電7nm停供中國大陸
最新消息，臺積電已向其在中國大陸的所有 AI 及 GPU 客戶發送了正式通知，宣布自 11 月 11 日，也就是下周起，暫停供應所有 7納米（nm）及更先進工藝的芯片。
消息稱，臺積電會對晶體管數量大于 300 億晶體管的芯片進行限制；同時，也會對 7nm 以下先進工藝、與 AI、HBM 和 CoWOS 封裝相關的芯片進行限制。新規定甚至對芯片的 Die 面積做了嚴格指引。
臺積電停供，主要受中美競爭和 “白手套” 事件影響。
從某種程度上說，這次全面封鎖先進制程的決策，是對中國快速發展的 AI 產業一次精準打擊，或導致供應鏈重組和成本增加。
特朗普曾在 2024 年 6 月 25 日接受采訪時表示，美國的全部芯片業務被臺灣 “搶奪”，且沒有得到任何好處，臺灣應當向美國支付“防務費用”。 臺積電的股價也在隨后的 7 月 17 日應聲跌超 2%。
如今特朗普勝選，臺積電這一決策似乎顯示了其下定決心投誠，并與美國商務部共同制定了一套嚴苛的審查制度，全面封鎖中國大陸的先進制程產能。
7nm 技術節點是半導體制造中的一個重要里程碑，標志著晶體管尺寸越來越接近物理學的極限。
截至目前，不同廠商在實現 7nm 工藝時采用的技術路線存在顯著差異，特別是臺積電、三星和英特爾的 FinFET 器件結構與英特爾的 DUV 光刻技術之間的比較。
臺積電的 7nm 工藝分為第一代 7nm 工藝（N7）、第二代 7nm 工藝（N7P）和7nm EUV（N7+）。其中，N7 和 N7P 使用的是 DUV 光刻技術，而 N7+ 則采用了 4 層 EUV 光刻技術。臺積電的 7nm 工藝通過多重曝光技術和浸沒式光刻技術來實現 7nm 節點。
三星的 7nm 工藝采用了更為先進的 EUV 光刻技術。三星在多個疊層中采用了 EUV 光刻技術，并且在初期階段僅用于選擇層。三星的 7nm EUV 工藝被認為在性能和功耗方面更具優勢。
英特爾的 FinFET 器件結構與臺積電和三星的工藝有所不同。英特爾的 FinFET 技術在 7nm 節點上仍然在使用，但其工藝路線與臺積電和三星的 EUV 或 DUV 光刻技術有所不同。
不過值得慶幸的是，7nm 芯片國產化進程已取得顯著進展。
華為 Mate 60 Pro 搭載的麒麟 9000S 處理器是一顆 7nm 工藝芯片，產地標注為中國大陸。此外，中芯國際也在努力推進國產化進程，其第二代 FinFET N+1 制程實質是 7nm 制程的低功耗低成本版本。（本文信源：多家官媒/網媒）
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